دیتاشیت 2SJ598-Z-E1-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | 2SJ598-Z-E1-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 71.267 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت 2SJ598-Z-E1-VB |
2SJ598-Z-E1-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec 2SJ598-Z-E1-VB
- Power Dissipation (Pd): 4W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 30A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 61mΩ@10V,5A
- Package: TO-252
- Manufacturer: VBsemi Elec
